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InGaAs Tap-PD Chip For EDFA φ80um（探測器） 用于EDFA的InGaAs Tap-PD芯片
更新時間：2025-11-13
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瀏覽量：1833
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更新時間：2025-11-13產品型號：瀏覽量：1492
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更新時間：2025-11-13產品型號：瀏覽量：1535
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器：材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ＧＨｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 FC/UPC,SMF28e
更新時間：2024-12-04產品型號：ET-3500F瀏覽量：3059
800~1700nm放大型可調增益銦鎵砷光電探測器 我們的硅探測器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測量；放大型探測器，8檔可調增益 ，定量光電轉換；動態范圍寬 ，適用于各種光電開發場景 ，應用廣泛；索雷博THORLABS同款 ，無縫兼容；性能優秀 ，高性價比 ，quan方位技術支持； 提供非標定制服務。
更新時間：2025-11-10產品型號：瀏覽量：2235
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